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日本正式限制半导体设备出口,涉23个品类

激石外汇2023-05-24 16:05:32外汇资讯37

激石Pepperstone(https://www.paraat.net/)报道:

据日经新闻周二报道,日本政府5月23日正式宣布,把尖端半导体制造设备等23个品类列入出口管理限制对象名单。经过两个月的公示期之后,该限制措施预计于7月23日生效。

规定生效后,这23个品类除了向友好国等42个国家和地区出口外,均需要单独得到批准。

本次限制主要针对高端半导体制造设备,包括极紫外(EUV)相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。按运算用逻辑半导体的性能来看,均属于制造电路线宽在10~14纳米以下的尖端产品所需设备。

据半导体风向标梳理,新增的清单包括曝光、刻蚀、成膜等六大类半导体设备:

热处理相关(1类)

在0.01Pa以下的真空状态下,对铜(Cu)、钴(Co)、钨(W)(任何一种元素)进行回流(Reflow)的“退火设备(Anneal)”。

检测设备(1类)

EUV曝光方向的光掩膜版(Mask Blanks)的检测设备、或者“带有线路的掩膜”的检测设备。

曝光相关(4类)

1.用于EUV曝光的护膜(Pellicle)。

2.用于EUV曝光的护膜(Pellicle)的生产设备。

3.用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备(Coater Developer)。

4.用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备(光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下)。(按照笔者的计算,尼康的ArF液浸式曝光设备属于此次管控范围,干蚀ArF以前的曝光设备不在此范围。)

干法清洗设备、湿法清洗设备(3类)

1.在0.01Pa以下的真空状态下,除去高分子残渣、氧化铜膜,形成铜膜的设备。

2.在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻(Dry Etch)的多反应腔(Multi-chamber)设备。

3.单片式湿法清洗设备(在晶圆表面性质改变后,进行干燥)。

蚀刻(3类)

1.属于向性蚀刻 (Isotropic Etching)设备,且硅锗(SiGe)和硅(Si)的选择比为100以上的设备;属于异向性(Anisotropic Etching)刻蚀设备,且含高频脉冲输出电源,以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘(Chuck)的设备。

2.湿法蚀刻设备,且硅锗(SiGe)和硅(Si)的蚀刻选择比为100以上。

3.为异向性蚀刻设备,且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言,蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备。

成膜设备(11类)

1.如下所示的各类成膜设备。*利用电镀形成钴(Co)膜的设备。

  • 利用电镀形成钴(Co)膜的设备。

  • 利用自下而上(Bottom-up)成膜技术,填充钴(Co)或者钨(W)时,填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备。

  • 在同一个腔体(Chamber)内进行多道工序,形成金属接触层(膜)的设备、氢(或者含氢、氮、氨混合物)等离子设备、在维持晶圆温度为100度一一500度的同时、利用有机化合物形成钨(W)膜的设备。

  • 可保持气压为0.01Pa以下真空状态(或者惰性环境)的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备,以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备:(1)在维持晶圆温度为20度一一500度的同时,利用有机金属化合物,形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。(2)在保持晶圆温度低于500度的同时,在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内,利用溅射工艺,形成钴(Co)层膜的工艺。(3)在维持晶圆温度为20度一一500度的同时,在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内,利用有机金属化合物,形成钴(Co)层膜的工艺。

  • 利用以下所有工艺形成铜线路的设备。(1)在保持晶圆温度为20度一一500度的同时,在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内,利用有机金属化合物,形成钴(Co)层膜、或者钌(Ru)层膜的工艺。(2)在保持晶圆温度低于500度的同时,在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内,利用PVD技术,形成铜(Cu)层膜的工艺。

  • 利用金属有机化合物,有选择性地形成阻障层(Barrier)或者Liner的ALD设备。

  • 在保持晶圆温度低于500度的同时,为了使绝缘膜和绝缘膜之间不产生空隙(空隙的宽度和深度比超过五倍,且空隙宽度为40纳米以下),而填充钨(W)或者钴(Co)的ALD设备

2.在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下),不采用阻障层(Barrier),有选择性地生长钨(W)或者钼(Mo)的成膜设备。

3.在保持晶圆温度为20度一一500度的同时,利用有机金属化合物,形成钌(Ru)膜的设备。

4.“空间原子层沉积设备(仅限于支持与旋转轴晶圆的设备)”,以下皆属于限制范围。(1)利用等离子,形成原子层膜。(2)带等离子源。(3)具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体(Plasma Shield)”或相关技术手法。

5.可在400度一一650度温度下成膜的设备,或者利用其他空间(与晶圆不在同一空间)内产生的自由基(Radical)产生化学反应,从而形成薄膜的设备,以下所有可形成硅(Si)或碳(C)膜的设备属于限制出口范围:(1)相对介电常数(Relative Permittivity)低于5.3。(2)对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言,其与线路深度的比超过五倍。(3)线路的线距(Pitch)为100纳米以下。

6.利用离子束(Ion Beam)蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺,形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备。

7.用于硅(Si)或者硅锗(SiGe)(包括添加了碳的材料)外延生长的以下所有设备属于管控范围。(1)拥有多个腔体,在多个工序之间,可以保持0.01Pa以下的真空状态(或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境)的设备。(2)用于半导体前段制程,带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。(3)外延生长的工作温度在685度以下的设备。

8.可利用等离子技术,形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜(Carbon Hard Mask)的设备。

9.可利用原子层沉积法或者化学气相法,形成钨(W)膜(仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个)的设备。

10.为了不在金属线路之间(仅限宽度不足25纳米、且深度大于50纳米)产生间隙,利用等离子形成相对介电常数(Relative Permittivity)低于3.3的低介电层膜的等离子体成膜设备。

11.在0.01Pa以下的真空状态下工作的退火设备,通过再回流(Reflow)铜(Cu)、钴(Co)、钨(W),使铜线路的空隙、接缝最小化,或者使其消失         

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